兵器工業(yè)集團兩項技術入選2022年“科創(chuàng)中國”先導技術榜 |
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近日，中國科協(xié)發(fā)布2022年“科創(chuàng)中國”系列榜單遴選結果，中國兵器工業(yè)集團微電子院“高性能MOEMS晶圓制造技術”、西安近代化學研究所“原子層沉積（ALD）納米制造技術”入選“科創(chuàng)中國”先導技術榜（產(chǎn)業(yè)基礎領域）。 高性能MOEMS晶圓制造技術 微電子院突破高性能MOEMS晶圓制造系列關鍵技術，多項技術和產(chǎn)品填補國內(nèi)空白，建立了國際先進、具有自主知識產(chǎn)權的技術體系，實現(xiàn)了光衰減器、光開關陣列、可調(diào)光濾波器、MOEMS掃描鏡等產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)，這些產(chǎn)品是光交叉、智能光束控制和掃描成像的核心芯片，在5G通信、無人駕駛、智慧工業(yè)等領域具有廣闊的應用前景，為國家發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)提供重要支撐。 原子層沉積（ALD）納米制造技術 原子層沉積（ALD）是一種先進的薄膜沉積與納米結構制造技術，借助該技術可對物質表面組成及結構進行原子層面的精確操縱，在材料表面引入特定的物理或化學性質，實現(xiàn)多種納米材料的高精度可控合成。西安近代化學研究所原子層沉積表面工程與納米制造技術團隊具備開展ALD先進設備及工藝研發(fā)、高水平基礎研究以及工程化應用能力，通過自主創(chuàng)新，初步實現(xiàn)了ALD先進設備及相關技術產(chǎn)業(yè)化，并且開創(chuàng)性地將ALD技術成功應用于多個研究方向，成為推動我國ALD技術發(fā)展的中堅力量。 據(jù)了解，“科創(chuàng)中國”榜單由中國科協(xié)設立，旨在通過優(yōu)選引領人物、新銳企業(yè)及先導技術，引導探索技術服務與交易新業(yè)態(tài)、新組織、新模式，激活創(chuàng)新引領的合作動能，為實現(xiàn)高水平科技自立自強提供支撐。 來源/微電子院、西安近代化學研究所 |
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